Министерство нуаки и высшего образования



жүктеу 238.17 Kb.
Дата25.03.2019
өлшемі238.17 Kb.

Қазақстан Республикасының Ғылым және Білім Министрлігі

«Алматы энергетика және байланыс университеті»

коммерциялық емес акционерлік қоғамы

Ғарыштық инженерия және телекоммуникациялар институты

Телекоммуникациялық жүйелер мен желілер кафедрасы

«Бекітемін»

Директоры ҒИТКИ

__________________

«__»________2018 г.

Пәннің силлабусы


RRN 3225 Радиоэлектроника және радиоавтоматика негіздері
5В074600 – « Ғарыштық техника мен технология» мамандағы бойынша»



Курс

3

Семестр

5

Жалпы кредит саны

4

ECTS жалпы кредит саны

7

Жалпы сағат саны

180

Сонымен қатар:




Дәріс

30

Зертханалық жұмыс

30

Практикалық жұмыс

15

ОӨЖ

105

Сонымен қатар СОӨЖ

15

Курстық жұмыс




Емтихан




Алматы 2018

Силлабусты құрастырған: аға оқытушы Демидова Г.Д. , және аға оқытушы Киргизбаева А.У. 5В074600 – «Ғарыштық техника мен технология» мамандығының оқу жоспары негізінде.

Силлабус «Телекоммуникациялық жүйелер мен желілер» кафедрасы

отырысында №12 хаттама 25.06.2018 ж. қарастырылып, бекітілді.

Телеком.жүй. каф. мең. ________ Байкенов А.С.

Syllabus отырысында қаралды және бекітілді оқу-әдістемелік комиссиясының институтының " ғарыш техникасы және телекоммуникация №8 хаттама 28.06.2018 ж.

1 Оқытушы:

Демидова Г.Д. – АЭжБУ, ТКЖ кафедрасы аға-оқытушысы, 407, 121 каб.

Контакты: 8(727)2922023, eaputcs@aipet.kz

Сакабаева А.К. АЭжБУ, ТКЖ кафедрасы аға-оқытушысы, 407, 409 каб.

Контакты: 8(727)2922023, eaputcs@aipet.kz
2 Аудиториялық сабақ уақыты мен өтетін орны курстың сабақ кестесінде көрсетілген, СӨЖ консультациясының кестесі радиотехника және байланыс факультеті (Б205) жне ТКЖЖ кафедрасының (Б407) деканаттарының хабарландыру тақтасында ілінген.
3 Курстың пререквизиті: "Математика 1-3", "Физика 1-2", "Электр тізбектерінің теориясы 1-2", Информатика, Химия.
4 Оқу пәнінің сипаттамалары
4.1 Курс мақсаты – студенттерде заманауи жартылай өткізгіш аспаптарының негізгі класстарының әрекет принциптері, параметрлері мен сипаттамалары және олардың жұмыс істеу тәртібі жайында білімдерін қалыптастыру.

4.2 Курс міндеті – дискретті жартылай өткізгіш аспаптары және интегралдық микросұлба құрылғысының қолдануымен құрылған ғарыштық байланыс аппаратурасы тізбектерінің параметрлерін есептеу принципімен студенттерді таныстыру.

4.3 Курстың сипатталуы

Пән 5В074600 «Ғарыштық техника және технология» мамандығының студенттері үшін арналған және студенттерді әрекет қағидаларымен, ғарыштық аппараттың (ҒА) байланыс әдісінің түйінін жобалау барысында қолданылатын интегралдық микросұлбалар және жартылай өткізгіш аспаптардың құрылымды құрамдарымен танысуды мақсат етеді.

«Радиоэлектроника және радиоавтоматика негіздері» пәнінің аяқтау барысында студент

түсіну керек:


  • радиоэлектрониканың заманауи және перспективті даму бағыттарын;

  • жерсеріктік жабдықтарда қолданылатын сигналдардың цифрлық өңдеулерін, модуляцияның қазіргі әдістерін және сипаттамаларын;

  • жерсеріктік жүйенің қолдану аймағын;

білу керек:

  • электронды сұлбалардың негізгі элементтерін;

  • сигналдардың таратылуы барысында және жерсеріктік аппаратураларда өңделу кезінде болатын көріністердің физикалық мағынасын;

  • қабылдағыш – хабарлағыш жерсеріктік жабдықты құру барысында қолданылатын жоғарғы жиілікті электронды құрылғыны;

  • жерсеріктік станциялардың әрқилы тағайындалуының сипаттамасын;

істей білу керек:

  • жерсеріктік жүйенің мәліметтерді жіберуін және басқаруын құру үшін электронды жабдықтың сипаттамасын таңдауды;

  • жерсеріктік байланыс жолының параметрлерінің энергетикалық есептеулерін жүргізуді.


5. Пәннің мазмұны
5.1 Дәрістер (30 сағ.)

Дәріс


Тақырып

Дерек көзі

1

Жартылай өткізгіш диодтар

Жалпы мағлұматтар. Нақты p-n ауысуының вольт-амперлік сипаттамасы. p-n ауысуының сыйымдылығы. p-n ауысуындағы өткізгіштік процесстер. Түзеткіш төменгі жиілікті диодтар. Түзеткіш жоғарғы жиілікті диодтар. Стабилитрондар. Туннельдік диодтар. Варикап. Шоттки диодтар - 2 сағат.



Конспект,

Д.1


2

Биполярлы транзисторлар.

2 p-n ауысуы бар құрылымның қасиеті. Транзистордың қосылу сұлбасы және іске асу принципі (күшейту). Құрылғылардың классификациясы және оларды дайындау нұсқасының қысқаша мәлімдемесі. Транзисторлардың әр түрлі қосылу сұлбаларындағы физикалық параметрлері.

Статикалық сипаттамалары, һ-параметрлері. Транзисторды модельдеу. Эберс-Моллдың моделі.

Жоғары жиіліктерде транзистордың жұмыс істеуі. Импульсті режимде транзистордың жұмыс істеуі - 2 сағат.



Конспект,

Д.2


3

Өрістік транзисторлар.

Өрістік транзисторлардың түрлері, олардың ерекшеліктері. Басқарма p-n ауысуы бар өрістік транзисторлар. Қосылу сұлбасы. Статикалық сипаттамалары және параметрлері.

МДП – транзисторлары. Құрамдас және индукцияланған транзистордың іске асу принципі және құрылғысы. МДП – транзисторлардың статикалық сипаттамалары және олардың жұмыс режимдері. МДП – транзисторлардың параметрлері. МДП – транзисторлардың комплементарлы жұптары.

Зарядты байланысы бар құрылғылар. Ауыстырып-қосқыш құрылғылар. Құрылымы, жұмыс істеу принципі және қолданылуы - 2 сағат.



Конспект,

Д.3


4

Оптоэлектронды жартылай өткізгіш құрылғылар.

Жартылай өткізгіш құрылымдардағы оптикалық сәулелену. Сәуле шашыратқыштар. Жарық диодтары, сипаттамалары, параметрлері.

Жартылай өткізгіш лазерлер. Фотоқабылдағыштар. Жартылай өткізгіштерде ішкі фотоэффект. Фотоқабылдағыштардың параметрлері және сипаттамалары.

Фотодиод. Жұмыс істеу принципі, параметрлері және сипаттамалары. Фотодиодтардың түрлері. Оптожұптар. Оптожұптардың элементтері. Параметрлері және сипаттамалары. Индикаторлар - 2 сағат.



Конспект,

Д.4


5

Микроэлектроника, интегралды сұлбалар (ИС).

ИС классификациялары: жартылай өткізгіш, пленкалы, гибридті, қосарлы.

Жартылай өткізгіш ИС – биполярлы ИС және МДП ИС. Олардың өндіру технологиясы. Интеграция дәрежесі. Жуан – жіңішке пленкалы гибридті ИС.

Элементтердің оқшаулануы. n-p-n құрылымды транзисторлар, олардың түрлері. Көпэмиттерлі транзистор, Шоттки барьерімен. n-p-n құрылымды транзисторлар. Интегралды диодтар. Өрістік транзисторлар. МДП транзисторлар. Жартылай өткізгіш резисторлар, конденсаторлар - 2 сағат.



Конспект,

Д.5


6

Логикалық интегралды сұлбалар.

Тікелей байланысы бар транзисторлы логика және олардың нұсқалары: ТЛНС, ТЛРС, ТЛЭС (ЭСЛ), ДТЛ, ТТЛ топтары. Қарапайым және күрделі инверторлары бар ТТЛ-дың логикалық элементтері- 2 сағат..



Конспект,

Д.6


7

ЭСЛ сұлбалары. Инжекциялы қоректенуі бар сұлбалар (ИИЛ). МДП-тарнзисторлардағы логика- лық элементтер. Логикалық элементтердің параметрлері. Орташа қолдану қуаты, сигналдың орташа кідіріс уақыты, қайта қосылудың орташа жұмысы, статикалық бөгеуліктұрақты, шығыс бойынша тарамдалу коэффициенті, кірісі бойынша ұлғаюы - 2 сағат.

Конспект,

Д.6


8

Күшейткіш класстары және күшейткіштердегі ОЖ. Ығысу және ОЖ түрлері. Әр түрлі жиіліктегі ОЭ бар күшейткіштің математикалық моделі. Типтік күшейткіш каскадтар. Алдыңғы, аралық және артқы күшейткіштер.

Дифференциалды күшейткіш және ОК негізгі параметрлері.

Қағидалы сызба және берілу функциясы. Кіріс және шығыс кедергілері, Кu. ОК негізіндегі сызықты сызбалар. ОК бар күшейткіштер сызбасы және олардың ЖС. Аналогті таймер- 2 сағат.


Конспект,

Д.7


9

Сызбасы, принципі және жұмыс істеу режимі. Электрлік және гармоникалық тербелістердің генераторлары. Сызбалары және жұмыс істеу принципі, уақыттық диаграммалары және есептеулері. Сигналдарды түрлендіргіштердің және ОК кернеуінің стабилизаторларының сызықты схемасы. Схемасы және жұмыс істеу принципі. Активти фильтрлер - 2 сағат.

Конспект,

Д.7


10

ЦАТ және АЦТ. Сұлбалары және түрлену принципі, өлшеу қателіктері. МПС-да ОК-дің қолданылуы. ОК-тің қолданысымен цифрлық амперметрдің схемасы. Және, немесе,емес логикалық элементтері. Декодерлар мен мультиплексорлар. Кодерлар мен декодерлардың, мультиплексорлар мен демультиплексорлардың сұлбасы мен жұмыс істеу принципі- 2 сағат.

Конспект,

Д.8


11

Мультиплексорлардағы әмбебап логикалық матрицалар. Сұлбалары және жұмыс істеу принципі. Компораторлар мен бақылау сұлбасы. АЛҚ және матрицалық көбейткіштер. Екілік санауыштар. ROM және RAM типті есте сақтауыш құрылғылар. 3D, 2D, 2DM типті жадының құрылымы. ПЗУ және ОЗУ типтік сұлбалары- 2 сағат.

Конспект,

Д. 11


12

ПЛM және ПМЛ типті программаланатын логикалық матрицалар. Матрица сұлбалары, құрылу ерекшеліктері және жұмыс істеу принципі - 2 сағат.

Конспект,

Д. 12


13

Жерсеріктік байланыс жүйесінің құрылу негізі және телерадиохабары. Негізгі анықтамалары. Жердің жасанды серіктері (ЖЖС) арқылы құрылатын байланыс жүйесінің жалпы сұлбасы - 2 сағат.

Конспект,

Д. 12,13


14

Ғараштық және жердегі станциялардың негізгі сипаттамалары. Ғарыштық станция-аппаратттардың (ҒА) классификациясы, олардың негізгі сипттамалары. Ғарыштық станциялардың құрамы - 2 сағат.

Конспект,

Д. 13


15

Жерлік станциялары бар ҒА байланыс радиолинияларын энергетикалық есептеудің мақсаты. «Жоғары»және «төмен» линиялардың энергетикалық байланысы. Жерлік және спутниктік радиобайланыс жүйесінің, спутниктік жүйелердің электромагниттік ұйқастығының сұрақтары. Радиоэлектроника және жерсеріктік беріліс жүйесінің артықшылықтары - 2 сағат.

Конспект,

Д. 14,15




5.2 Зертханалық жұмыстардың үлгілі тізімі (30 сағ.)

Зерт

жұм.


Тақырыбы

Мәлімет көзі бөлімі мен

нөмері


1

Диодтардың вольт-амперлік сипаттамасын мен стабилитрондағы

Зенеров ауытқуының кернеуін зерттеу - 4 сағат.



Конспект,

Д.1,


2

Ортақ исток және ортақ эмиттермен қосылған схема бойынша өрістік және биполярлы транзисторлардың сипаттамасын зерттеу - 2 сағат.

Конспект,

Д.2,3


3

BJT биполярлы транзисторының ток бойынша күшейту коэффициентін зерттеу - 2 сағат.

Конспект,

Д.2,3


4

Біржартыпериодты және екіжартыпериодты түзеткіштердің жұмыс принципін зерттеу - 2 сағат.

Конспект,

Д.1


5

Теріс кері байланысы бар операциялық күшейткіш негізінде күшейткіштің күшейту коэффициентін анықтау - 5 сағат.

Конспект,

Д.2,3,7



5.3 Машық сабақтары тақырыптарының үлгілі тізімі (15 сағ.)

Машық сабақтары

Негізгі тақырып атауы

Мәлімет көзі бөлімі мен

нөмері


1

Әртүрлі температура мен қоспа консентрация кезіндегі р-n ауысуы ушін түйіспелі потенциалдар айырым есебі - 2 сағат.

Консп., Д.1,6

2

Ток пен кернеу бөлгішін есептеу - 2 сағат.

Консп., Д.1

3

Түзеткішті есептеу - 2 сағат.

Консп., Д.1

4

Стабилизатор параметрлерін есептеу - 2 сағат.

Консп., Д.1,26,29

5

Күшейткішті есептеу - 2 сағат.

Консп., Д.1,26,29

6

Комбинациялық логикалық сұлба синтезі - 2 сағат.

Консп., Д.1

7

Жерсеріктік байланыс жүйесінің кейбір параметрлерін есептеу - 3 сағат.

Консп., Д.1,11,14


5.4 Есептеу-сызба жұмыстарының тақараптарының тізімі

Тақырып №

Негізгі тақырып атауы

Мәлімет көзі бөлімі мен

нөмері


1

Жартылай өткізгіш материалдар мен p-n өткелінің негізгі параметрлерін есептеу. Жартылай өткізгіш диодтардың параметрлерін есептеу . Параметрлік кернеу стабилизаторының параметрлерін есептеу.

Консп., Д. 1, 6, 26, 28

2

Биполярлы транзистордағы күшейткіштің параметрлерін есептеу.

Консп., Д. 1, 6, 26, 28

3

Комбинациялық логикалық сұлба синтезі.

Консп., Д. 1, 6, 26, 28


5.5 Өздік жұмыс тақырыптары ( 83 сағ.)

5.5.1. Импульстік диодтар. ӨЖЖ диодтар - 3 сағат.

5.5.2. Динистор. Тиристорлар. Тиристор, бірнеше p-n ауысуы бар басқарылатын жртылай өткізгішті аспап ретінде - 10 сағат.

5.5.3. Тиристордағы ауысу процесстері. Құрылғы арқылы төменгі және жоғары тығыздықтардағы токтың басқару тогымен тиристордың қосылуының ауысу процесі - 8 сағат.

5.5.4 Симисторлар. Аспаптардың құрылымы, шығыс ВАС ерекшеліктері, аспаптардың динамикалық қасиеттері, аспаптарды қолданудың ерекшеліктері. Жабын тиристорлар.Физикалық процесстер және олардың қосылған кездегі ерекшеліктері. Жабын тиристорлардың қолданудың шектеулері. Басқару сызығының құрылымы - 8 сағат.

5.5.5 Микроэлектрониканың технологиялық негізі. Дайындық операциялары. Эпитакция. Термиялық қышқылдану. Легірлеу. Улау. Маска техникасы.Жұқа пленкаларды орнату. Металлдау. Жинау операциялары. Жұқапленкалы гибридті ИС технологиясы, қалыңпленкалы гибридті ИС технологиясы, иондық аспаптар - 8 сағат.

5.5.6 Статикалық және динамикалық типті оперативті ЕҚ – 10 сағат.

5.5.7.Төменгіорбитальді спутниктік жүйенің энергетикалық есептелуінің ерекшеліктері - 8 сағат.

5.5.8 Орташа биіктік жерсеріктік байланыс жүйелерінің ерекшеліктері - 10 сағат.

5.5.9 Көпстанциялы рұқсат алудың қазіргі технологиялардың жерсеріктік байланыстардағы әр түрлі желілерде қолданылуы - 3 сағат.

5.5.10 КС және ЗС-те қолданылатын антенналық жүйелер - 8 сағат.

5.5.11 Жерсеріктік телехабардың дербес қабылдау жүйелері - 3 сағат.

5.512 Жер станцияларының координациялық аймақтарының есептелуі - 4 сағат.
5.6 Экзамен сұрақтары

Бақылау сұрақтары:



  1. Нақты p-n-ауысуының вольт-амперлік сипаттамасы

  2. p-n-ауысуының сыйымдылығы

  3. p-n-ауысуындағы өткізгіш процесстер

  4. Төменжиілікті түзеткіш диодтар.

  5. Жоғарғы жиілікті түзеткіш диодтар

  6. Стабилитрондар

  7. Туннельдік диод

  8. Варикап

  9. Диод Шоттки

  10. Биополярлы транзисторлар

  11. 2 p-n-ауысуы бар құрылымның құрамы

  12. Транзистордың қосылу сұлбасы және жұмыс істеу принципі

  13. Транзисторлардың классификациясы және олардың дайындалу туралы қысқаша мағлұматтар

  14. Әр түрлі қосылу сұлбаларында транзистордың физикалық параметрлері

  15. Статикалық сипаттамалары, h-параметрлері. Транзистордың модельдеуі. Эберс-Молл моделі

  16. Жоғары жиіліктерде транзистордың жұмыс істеуі.

  17. Транзистордың импульсті режимде жұмыс істеуі.

  18. Өрістік транзисторлардың түрлері, олардың ерекшеліктері.

  19. Басқарма p-n-ауысуы бар өрістік тарнзисторлар. Қосылу сұлбасы.

  20. Статикалық сипаттамалары және параметрлері

  21. МДП – транзисторлары. Құрамдас және индукцияланған транзистордың іске асу принципі және құрылғысы

  22. МДП – транзисторлардың статикалық сипаттамалары және олардың жұмыс режимдері

  23. МДП – транзисторлардың параметрлері. МДП – транзисторлардың комплементарлы жұптары

  24. Зарядты байланысы бар құрылғылар. Ауыстырып-қосқыш құрылғылар. Құрылымы, жұмыс істеу принципі және қолданылуы

  25. Оптоэлектронды жартылай өткізгіш құрылғылар

  26. Жартылай өткізгіш құрылымдардағы оптикалық сәулелену

  27. Сәуле шашыратқыштар

  28. Жарық диодтары, сипаттамалары, параметрлері

  29. Жартылай өткізгіш лазерлер

  30. Фотоқабылдағыштар. Жартылай өткізгіштерде ішкі фотоэффект.

  31. Фотоқабылдағыштардың параметрлері және сипаттамалары.

  32. Фотодиод. Жұмыс істеу принципі, параметрлері және сипаттамалары

  33. Фотодиодтардың түрлері

  34. Оптожұптар. Оптожұптардың элементтері. Параметрлері және сипаттамалары

  35. Индикаторлар

  36. ИС- тың классификациялары

  37. Жартылай өткізгіш ИС – биполярлы ИС және МДП ИС. Олардың өндіру технологиясы. Интеграция дәрежесі

  38. Жуан – жіңішке пленкалы гибридті ИС.

  39. Элементтердің оқшаулануы. n-p-n құрылымды транзисторлар, олардың түрлері.

  40. Көпэмиттерлі транзистор, Шоттки барьерімен. n-p-n құрылымды транзисторлар

  41. Интегралды диодтар

  42. Өрістік транзисторлар

  43. МДП – транзисторлар

  44. Жартылай өткізгіш резисторлар, конденсаторлар

  45. Тікелей байланысы бар транзисторлы логика және олардың нұсқалары: ТЛНС, ТЛРС, ТЛЭС (ЭСЛ), ДТЛ, ТТЛ топтары.

  46. Қарапайым және күрделі инверторлары бар ТТЛ-дың логикалық элементтері

  47. ЭСЛ сұлбалары. Инжекциялы қоректенуі бар сұлбалар ( ИИЛ ).

  48. МДП-тарнзисторлардағы логикалық элементтер.

  49. Күшейткіш класстары және күшейткіштердегі ОЖ.

  50. Ығысу және ОЖ түрлері.

  51. Типтік күшейткіш каскадтар. Алдыңғы, аралық және артқы күшейткіштер

  52. Дифференциалды күшейткіш және ОҚ негізгі параметрлері. Қағидалы сызба және берілу функциясы. Кіріс және шығыс кедергілері, Кu.

  53. ОҚ негізіндегі сызықты сызбалар. ОҚ бар күшейткіштер сызбасы және олардың БФ

  54. Аналогті таймер. Сызбасы, принципі және жұмыс істеу режимі.

  55. Аналогті таймер. Сызбасы, принципі және жұмыс істеу режимі. Электрлік және гармоникалық тербелістердің генераторлары. Сызбалары және жұмыс істеу принципі, уақыттық диаграммалары және есептеулері

  56. Сигналдарды түрлендіргіштердің және ОК кернеуінің стабилизаторларының сызықты схемасы. Схемасы және жұмыс істеу принципі.

  57. Активті фильтрлер

  58. ЦАП және АЦП.Схемалары және түрлену принципі, өлшеу қателіктері.

  59. МПС-да ОК-дің қолданылуы. ОК-тің қолданысымен цифрлық амперметрдің схемасы

  60. Және, немесе,емес логикалық элементтері

  61. Декодрлар мен мультиплексорлар. Кодрлар мен декодрлардың, мультиплексорлар мен демультиплексорлардың схемасы мен жұмыс істеу принципі

  62. Мультиплексордағы әмбебап логикалық матрицалар. Сұлбасы және жұмыс мақсаты.

  63. Компараторлар және бақылау сұлбасы.

  64. АЛУ и матрицалық көбейткіштер.

  65. Триггерлар және тізбектелген құрылғылар.

  66. Екілік есептегіштер.

  67. ROM және RAM тәрізді сақтаушы құрылғылар.

  68. 3D, 2D, 2DM тәрізді жады құрылымы. ПЗУ және ОЗУ типтік сұлбалары.

  69. ПЛM және ПМЛ тәрізді программалық логикалық матрицалар. Матрица сұлбасы,құрылу ерекшеліктері және жұмыс мақсаты.

  70. Серіктерін ( спутниктері ) арқылы байланыс жүйелерінің құрылысын жалпы сұлбасы. Ғарыштық және жерүсті станцияларының негізгі ерекшеліктері .


6 Студенттердің жетістік бағасы жайла ақпарат
6.1 Бағалау жүйесі

Сіздердің курс программасы бойынша жетістік деңгейі кредиттік оқыту технологиясымен қабылданған қорытынды баға шкаласы бойынша бағаланады ( 6.1 кестесі).

6.1 кесте


Әріптік жүйедегі бағалау

Балл

%-тік

мазмұны


Дәстүрлі жүйедегі бағалау

А

4,0

95- 100

Өте жақсы

А-

3,67

90-94

Өте жақсы

В+

3,33

85-89

Жақсы

В

3,0

80-84

Жақсы

В-

2,67

75-79

Жақсы

С+

2,33

70-74

Қанағаттандырарлық

С

2,0

65-69

Қанағаттандырарлық

С-

1,67

60-64

Қанағаттандырарлық

D+

1,33

55-59

Қанағаттандырарлық
D-

1,0

50-54

Қанағаттандырарлық

F

0

0-49

Қанағаттандырарлық емес

Жіберілу рейтингі бағасын семестр бойы Сіз жинақтайсыз. Әр оқу жұмысының түрі 100 – баллдық шкаламен бағаланады және 6.2 кестеге сәйкес өлшеу коэффициентімен жіберілу рейтингіне кіреді.

6.2 кесте. Жіберілу рейтингі. Әр жұмыс түрінің белгіленуі.


Параметрі

Өлшеу коэффициенті

Зертханалық практикумның орындалуы

0,4

Курстық жұмыс

0,4

Аралық аттестация

0,1

Дәрістік сабақтарға қатысуы

0,1

Жіберілу рейтингісінің қорытындысы

1,0

Қорытынды баға келесі жолмен табылады:


Қ = 0,6ЖР + 0,4Э
мұндағы Э – экзамен бағасы.
6.2 Балл қойылу саясаты:

Ең жоғарғы максималды балл жұмыстың шартты ырғақты түрде және де өте жоғары сапалы болуына байланысты қойылады.Тесттің және дәріске қатысудың баллдық бағасы тесттің дұрыс жауабы мен дәрістен қалыс қалуына байланысты.


6.3 Университетте оқытылып жатқан мобильді академиялық баға аударуын ұйымдастыру

ҚР-ның оқу орныдарының жетістіктері баллдық-рейтингтік әріптік жүйесі ECTS ( Европалық аудару жүйесі және кредит жинағы) баға аудару арқылы жүзеге асады және 6.3 және 6.4 кестеге қарап келісеміз.

6.3-Кесте.ҚР-ның оқу орныдарының жетістіктері баллдық-рейтингтік әріптік жүйесі ECTS


 ECTS бойынша баға


Әріптік жүйесі бойынша баға

Баллдың сандық

эквиваленті


%-дық мазмұны

Дәстүрлі жүйедегі баға

А

А

4,0

100

Өте жақсы

В

В+

3,33

85

Жақсы

С

В

3,0

80

D

С

2,0

65

Қанағаттанарлық

E

D

1,0

50

FX, F

F

0

0

Қанағаттанарлықсыз

6.4 Кесте - ҚР-ның оқу орныдарының жетістіктері баллдық-рейтингтік әріптік жүйесі ECTS




Әріптік жүйесі бойынша баға

Баллдың сандық

эквиваленті

%-дық мазмұны

Дәстүрлі жүйедегі баға

ECTS бойынша баға

А

4,0

95-100

Өте жақсы

А

А-

3,67

90-94

В+

3,33

85-89

Жақсы

В

В

3,0

80-84

Жақсы

С

В-

2,67

75-79

С+

2,33

70

Қанағаттанарлық

С

2,0

65-69

Қанағаттанарлық

D

С-

1,67

60-64

D+

1,33

55-59

D

1,0

50-54

Қанағаттанарлық

E

F

0

0-49

Қанағаттанарлықсыз

FX, F


7 Курс саясаты:

- сабақтан кешікпеу және сабақтан қалмау керек;

- мұғалімнің беріп жатқан сабағын мұқият тыңдау және оған белсенді қатысу;

- сабақтан қалыс қалудың белгілі себебінің болуы( деканаттан рұқсатнама алуы керек) және зертханалық жұмыстарды өтеу;

- курстық жұмысты қорғауды семестрдің соңғы аптасына дейін қалдырмау;

- кітапханада және үйде өзіндік дайындалу.


8 Академиялық этиканың нормасы:

- тәртіптік;

- тәрбиелілік;

- өз еріктілік;

- адалдық;

- жауаптылық;

- аудиторияда өшірулі ұялы телефонмен жұмыс істеу.



Оқу орнында келеңсіз жағдай орын алған жағдайда ашық түрде мұғаліммен және эдвайзермен ақылдасу керек, келеңсіз жағдай шешілмеген жағдайда деканаттың кызметкерлеріне дейін жетуі мүмкін.
9 Әдебиеттер тізімі
Негізгі:

  1. Гусев В.Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб.для вузов – М.: Высш.шк., 2006, 799с.

  2. Алексенко А.Г. Основы микросхемотехники. -3-е изд. – М.:ЮНИМЕДИАСТАЙД, 2002, 340 с.

  3. Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов В.Т. Электронные приборы. Учебник для вузов. М.:Лайт ЛТД, 2000. – 416 с.


Қосымша

  1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. 488с.

  2. Щука А.А. Электроника. Учебное пособие. – СПб.: БХВ – Петербург, 2005. – 800 с.

  3. Игумнов Д.В., Костюнина Г.П. Основы полупроводниковой электроники. Учебное пособие. - М.: Горячая линия - Телеком, 2005. – 392 с.

  4. Спутниковая связь и вещание: Справочник. Под ред. Л.Я.Канто­ра.- М.: Радио и связь, 2002. - 344 с.

  5. С.Л. Корякин-Черняк. Спутниковое телевидение от А до Я.- СПб:Наука и техника, 2010г.

  6. Мордухович Л.Г., Степанов А.П. Системы радиосвязи. Курсовое проектирование. М.: Радио и связь, 1987.- 192 с.

  7. Горнастаев Ю.М. Перспективные спутниковые системы связи.-М.: Горячая линия-Телеком, 2005.

  8. Калмыков В.В. Системы сотовой и спутниковой радиосвязи.-М.: Рудомино, 2010.

  9. Системы спутниковых телекоммуникаций. Каталог оборудования и решений.- М: SYSUS SYSTEM, 2008.

  10. Бадалов А.Л., Михаилов А.С. Нормы на параметры электромагнит­ной совместимости РЭС: Справочник. -М.: Радио и связь, 1990. -

  11. Мамаев Н.С. Спутниковое телевизионное вещание. Приемные устройства.-М:Радио и связь, 2000.

  12. Тяпичев Г.А. Спутники и цифровая радиосвязь.-М:Тех Бук, 2004-288с.

  13. Фролов О.П. Зеркальные антенны для земных станций спутниковой связи.-М.:Радиотехника, 2008.

  14. Соловьев Ю.А. Системы спутниковой навигации.-М.,2000

  15. Власов И.Б. Глобальные навигационные спутниковые системы.- М.: Рудомино, 2010.

  16. Стивенсон Д. Спутниковое ТВ. Практическое руководство.-М.: ДМК-Пресс, 2001.

  17. Управление радиочастотным спектром и электромагнитная совместимость радиосистем./под ред. М.А.Быховский.-М.: Радио и связь, 2006.


Оқу материалдары , дәріс ескертулер мен оқу AU - ES бағыттауыштар :

  1. Жолшараева Т.М. Микроэлектроника. Интегральные микросхемы: Учебное пособие. Алматы: АИЭС, 2007. – 81 с.

  2. Жолшараева Т.М. Микроэлектроника. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие. Алматы: АИЭС, 2006. – 79 с.

  3. Бериков А.Б., Ордабаев Б.О. Полупроводниковые приборы. – Алматы: АЭИ, 1992. – 136 с.

  4. Жолшараева Т.М., Дегембаева У.К. Электроника и микросхемотехника. Методические указания к лабораторным работам. – Алматы:

  5. Жолшараева Т.М. ЭиСТАУ1. Методические указания к выполнению РГР. Алматы: АИЭС, 2009. - 23 с.

  6. Гладышева Н.Н., Клочковская Л.П. Спутниковые и радиорелейные системы передачи. Методические указания к выполнению курсовой работы ( для студентов всех форм обучения специальности 5В0746- Радиотехника, электроника и телекоммукации).Алматы: АИЭС, 2009.

  7. Бутузов Ю.А., Ползик Е.В.Спутниковые системы связи. Учебное пособие. Алматы: АИЭС, 2007 г.

  8. Клочковская Л. П., Сарженко Л. И. Спутниковые и радиорелейные системы передачи. Конспект лекций. –  Алматы: АИЭС, 2007.

  9. Абишева Т.А., Темырканова Э.К. Спутниковые и радиорелейные системы передачи. Методические указания к выполнению лабораторных работ ( для студентов всех форм обучения специальности 5В0746- Радиотехника, электроника и телекоммукации).-Алматы: АИЭС, 2010.

  10. Коньшин С.В., Джунусов Н.А. Жерсеріктердің орбитада қозғалуының теориялық негіздері.-А,: АИЭС,2011

  11. Коньшин С.В. Основы теории движения спутников на орбите.-А.,2008

  12. Коньшин С.В. Теоретические основы взлета и посадки космических ракетоносителей.-А.:АИЭС,2008

  13. Коньшин С.В., Джунусов Н.А. Жерсеріктік және радиорелелі тарату жүйелері. Дәрістер жинағы.-А.: АИЭС,2007

  14. Сакажанова Э.К., Клочковская Л. П., Сарженко Л.И. Жерсеріктік және радиорелелік тарату жүйелері. 050719 – Радиотехника, электроника және телекоммуникация мамандықтарының барлық оқу түрінің студенттеріне арналған дәрістер жинағы..-Алматы: АИЭС, 2008.

  15. Н.Н. Гладышева, Л.П. Клочковская. Шугайып.У.  Жерсеріктік   және радиорелейлік тарату жүйелері. 050719 – Радиотехника, электроника және телекоммуникация мамандықтарының студенттері үшін курстық жұмысты орындауға арналған әдістемелік нұсқаулар.- Алматы: АИЭС, 2009.


Достарыңызбен бөлісу:


©kzref.org 2017
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет