Нанолитография Электронно-лучевая литография electron-beam lithography



бет1/11
Дата15.01.2022
өлшемі1.7 Mb.
#169729
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11
Байланысты:
Нанолитография

  • Системы формирования электронного луча обеспечивают создание потока электронов с энергией 20 – 100 кэВ, сфокусированного в пятно размером 1 – 1,5 нм. Этот луч сканируют по поверхности подложки, покрытой чувствительным к облучению материалом – резистом.
  • Электронно-лучевая литография
  • Ограничения разрешающей способности органических резистов связаны с низкоэнергетическими (~50 эВ) вторичными электронами, которые генерируются в этих материалах при бомбардировке высокоэнергетическими электронами и обратным рассеянием электронов от материала подложки. Вторичные электроны экспонируют область резиста на расстоянии до 5 нм за пределами области облучения, что ограничивает разрешающую способность на уровне 10 нм. Повышение разрешающей способности PMMA до 6 нм, может быть обеспечено при ультразвуковом проявлении и тщательном контроле экспонирования. Улучшение разрешения достигается за счет снижения эффективности образования вторичных электронов при использовании для экспонирования резиста электронов с энергиями 2 – 10 кэВ. Однако этом происходит снижение чувствительности резиста.
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11




©kzref.org 2022
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет